锗（Ge）是一种位于元素周期表第四周期第IVA族的金属loid元素，其原子序数为32。了解Ge原子的核外电子排布对于研究其化学性质和物理特性具有重要意义。为了便于记忆与书写，科学家们通常采用简写的方式来表示Ge原子的电子排布式。

首先，Ge的完整电子排布式为1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 4s² 3d¹⁰ 4p²。这一表述清晰地展示了每个能级中电子的数量及其分布情况。然而，在实际应用中，这种详细的表达方式显得冗长且不易于记忆。因此，人们引入了简写形式，以简化这一过程。

在简写过程中，我们利用稀有气体的电子结构作为参考点。对于Ge而言，氩（Ar）是其前一个稀有气体，拥有完整的电子层结构1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶。于是，Ge的电子排布可以被简写为[Ar] 4s² 3d¹⁰ 4p²。这里，[Ar]代表氩原子的电子构型，省略了前面已经完成填充的部分，仅保留未填充满的电子信息。

这种简写方法不仅节省了空间，还使得复杂的电子排布变得直观易懂。通过这种方式，我们可以快速掌握Ge原子的电子状态，并进一步分析其参与化学反应的能力及稳定性。

总结来说，Ge原子核外电子排布式的简写形式为[Ar] 4s² 3d¹⁰ 4p²。这一简化的表示方法体现了现代化学理论的高度概括性，同时也为我们提供了更加便捷的研究工具。无论是学习还是科研领域，掌握这一技巧都将大大提升效率并加深理解。